目录
功率半导体薄膜
Si衬底上外延生长GaN基射频电子材料的研究进展杨学林;沈波;723-731
金刚石肖特基二极管的研究进展彭博;李奇;张舒淼;樊叔维;王若铮;王宏兴;732-745
基于复合势垒的AlGaN/GaN异质结材料的制备与性能研究彭大青;李忠辉;蔡利康;李传皓;杨乾坤;张东国;罗伟科;746-752
利用干燥空气改善熔融KOH对单晶碳化硅的腐蚀孙帅;宋华平;杨军伟;王文军;屈红霞;简基康;753-758
基于聚氨酯垫的4H-SiC单晶衬底研磨性质研究吴锐文;宋华平;杨军伟;屈红霞;赖晓芳;759-765
光电子薄膜
用于单片集成的硅基外延Ⅲ-Ⅴ族量子阱和量子点激光器研究王俊;葛庆;刘帅呈;马博杰;刘倬良;翟浩;林枫;江晨;刘昊;刘凯;杨一粟;王琦;黄永清;任晓敏;766-782
分子束外延高Al组分AlGaN薄膜及Si掺杂研究梁潇;李思琦;王中伟;邵鹏飞;陈松林;陶涛;谢自力;刘斌;陈敦军;郑有炓;张荣;王科;783-790
MOCVD外延生长InN薄膜及其光学性质研究殷鑫燕;陈鹏;梁子彤;赵红;791-797
反应磁控溅射制备h-BN薄膜及其日盲紫外探测器武成;朱昭捷;李坚富;涂朝阳;吕佩文;王燕;798-804
高成品率和平整度的GaN基Micro LED芯片激光剥离工艺的研究岳龙;徐俞;王建峰;徐科;805-811
Micro-LED的侧壁损伤以及光学特性蔡鑫;徐俞;曹冰;徐科;812-817
高功率多结905nm垂直腔面发射激光器赵飞云;任翱博;巫江;818-824
新型薄膜材料
六方氮化硼外延生长研究进展王高凯;张兴旺;825-841
退火方式及温度对层层碘化法CuI薄膜结构、形貌和光电性能的影响耿方娟;杨磊;朱嘉琦;842-848
Er掺杂WS2的制备及光电特性研究曹晟;张锋;刘绍祥;陈思凯;赵杨;石轩;赵洪泉;849-856
先进外延及相关技术
单晶金刚石异质外延用铱复合衬底研究现状屈鹏霏;金鹏;周广迪;王镇;许敦洲;吴巨;郑红军;王占国;857-877
金属调制分子束外延生长氮化铝薄膜刘欢;邵鹏飞;陈松林;周辉;李思琦;陶涛;谢自力;刘斌;陈敦军;郑有炓;张荣;王科;878-885
单层α-MoO3半导体薄膜的范德瓦耳斯外延制备韩钰;牛群;周琴;赵爱迪;886-893
石墨烯上异质远程外延GaN的研究徐建喜;王钰宁;徐俞;王建峰;徐科;894-900
多晶金刚石衬底范德瓦耳斯外延GaN薄膜白玲;宁静;张进成;王东;王博宇;武海迪;赵江林;陶然;李忠辉;901-908
枝晶WS2/单层WS2薄膜的CVD可控制备与表征张鑫;沈俊;湛立;崔恒清;葛炳辉;武传强;909-917
高速旋转垂直热壁CVD外延生长n型4H-SiC膜的研究韩跃斌;蒲勇;施建新;闫鸿磊;918-924
简讯
济南大学刘宏团队在8英寸X轴铌酸锂晶体制备技术领域取得新突破孙德辉;925
企业介绍
北京博宇半导体工艺技术有限公司926
费勉仪器科技(上海)有限公司927
Dr.Eberl MBE-Komponenten GmbH公司928
香港协和国际贸易服务公司929
中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司930
编者按陈小龙;牛智川;李忠辉;芦红;717-718+716
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